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SGT N80-85V Power MOSFET
产品介绍
金沙唯一官方娱乐场-(青岛)有限公司最新推出的N80-85V SGT系列MOSFET,采用SGT(Shield Gate Trench MOSFET) MOSFET结构及工艺制造方法,具有传统Trench MOSFET低导通损耗的优点,同时具有更低的开关损耗。 SGT MOSFET作为开关器件,广泛应用于新能源电动车BMS、逆变电源系统、电机驱动系统及其他电源管理系统,是其核心的功率控制部件。 除传统TO系列封装外,采用Copper Clip封装工艺的DFN5060产品也即将推出。 金沙唯一官方娱乐场-(青岛)有限公司目前已推出N40V,N60V,N80-85V,N85V,N100V,N120V多个电压平台的系列化解决方案,供客户根据实际需求灵活选择。

产品特点
1、采用SGT工艺,极低的Rdson和优异的开关特性,带来更低的FOM,减小系统损耗。 2、 和传统Trench工艺比Ciss/Qg参数都有大幅优化,设计MOSFET驱动时有更多选择。 3、针对系统应用中的各种异常工作状态,优化MOS产品EAS特性,提高系统可靠性。
新产品宣告
SGT N80-85V Power MOSFET 规格书

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